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PolarHV TM HiPerFET
Power MOSFETs
N-Channel Enhancement Mode
Fast Intrinsic Diode
IXFH 22N60P
IXFV 22N60P
IXFV 22N60PS
V DSS = 600 V
I D25 = 22 A
R DS(on) ≤ 350 m ?
t rr ≤ 200 ns
Avalanche Rated
TO-247 (IXFH)
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
V DSS
V DGR
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C; R GS = 1 M ?
600
600
V
V
V GS
V GSM
Continuous
Tranisent
± 30
± 40
V
V
G
D
S
D (TAB)
I D25
T C = 25 ° C
22
A
I DM
I AR
E AR
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
66
22
40
A
A
mJ
PLUS220 (IXFV)
D
E AS
dv/dt
T C = 25 ° C
I S ≤ I DM , di/dt ≤ 100 A/ μ s, V DD ≤ V DSS
1.0
20
J
V/ns
G
S
D (TAB)
T J ≤ 150 ° C, R G = 4 ?
P D
T J
T JM
T stg
T C = 25 ° C
400
-55 ... +150
150
-55 ... +150
W
° C
° C
° C
PLUS220SMD (IXFV...S)
T L
T SOLD
M d
F C
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s
Plastic body for 10 s
Mounting torque (TO-247)
Mounting Force (PLUS220)
300 ° C
260 ° C
1.13/10 Nm/lb.in.
11..65/2.5..15 Nm/lb.
G
S
D (TAB)
Weight
TO-247
PLUS220 & PLUS220SMD
6
4
g
g
G = Gate
S = Source
D = Drain
TAB = Drain
Features
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
BV DSS V GS = 0 V, I D = 250 μ A
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
600 V
l
l
l
Fast intrinsic diode
Unclamped Inductive Switching (UIS)
rated
International standard packages
V GS(th)
V DS = V GS , I D = 4 mA
3.0
5.5
V
l
Low package inductance
- easy to drive and to protect
I GSS
V GS = ± 30 V DC , V DS = 0
± 100
nA
Easy to mount
I DSS
V DS = V DSS
V GS = 0 V
T J = 125 ° C
25
250
μ A
μ A
Advantages
l
R DS(on)
V GS = 10 V, I D = 0.5 I D25
Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %
350
m ?
l
l
Space savings
High power density
? 2006 IXYS All rights reserved
DS99315E(03/06)
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